복단대학 미전자학원 장위 교수가 인솔한 연구팀이 연구개발한 세계 첫번째 세미 플로팅 게이트 트랜지스터관련 연구론문이 일전에 과학잡지에 실렸다. 이는 우리나라 과학자가 처음으로 이 권위적인 잡지에 전자부품 분야의 연구성과를 발표한것으로 된다. 미전자분야의 중대한 원시적인 혁신성과로 되는 이 발명은 우리나라가 집성회로의 관건기술을 장악하고 국제칩디자인과 제조분야에서 더 큰 핵심경쟁력을 쟁취하는데 유조하다.

트랜지스터는 집성회로의 기초부품이다. 지난 수십년간 공예의 진보는 트랜지스터의 크기를 부단히 줄여 점차 물리적 극한에 도달시켰다. 집약도가 증가됨에 따라 칩에네르기소모 밀도가 지나치게 큰 원인으로 열발산 어려움에 직면하게 된다. 때문에 각국 과학자와 업계는 원자재와 선로설계면에서 돌파를 모색하는 한편 새구조와 원리에 기초한 트랜지스터 연구개발해 기존의 기술제한을 타파하려 시도해왔다. 장위 교수 연구팀은 터널링 필드 효응 트랜지스터와 플로팅 게이트 트랜지스터의 두가지 원리를 결부하여 세미 플로팅 게이트 트랜지스터로 명명한 신형의 기초부품을 만들었다. 구조가 정밀하고 성능이 좋으며 에네르기 소모가 낮은 등 특점을 갖고 있는 관련부품은 CPU 캐시, 메모리, 영상감지기 등 분야에 광범위하게 응용될수 있어 상품의 성능을 크게 제고할수 있다.

당면 관련분야의 핵심특허는 기본적으로 미크론, 삼성, 인텔, 소니 등 국외회사에 의해 통제되였고 우리나라가 갖고 있는 자주적인 지적재산권이나 응용가능한 상품은 아주 적었다. 세미 플로팅 게이트 트랜지스터은 주류 집성회로 제조공예와 겸용할수 있어 좋은 산업화 전망을 갖고 있으며 응용시장의 발전예비규모는 300억딸라이상에 달할것으로 보인다. 현재 연구팀은 관련부품을 최적화하고 전자회로를 설계하는 사업을 추진하고 있다. 이는 우리나라에서 집성회로의 핵심부품기술을 장악하는데 유조하며 우리나라 신형의 미전자부품 연구개발에서 하나의 리정표로 된다.


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